SCT4050KEHR
1200V、32A、3引脚THD、沟槽结构、车载用SiC（碳化硅）MOSFET
Data Sheet
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SCT4050KEHR
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
50
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
32
Total Power Dissipation[W]
136
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
特点：
- 符合AEC-Q101标准
- 低导通电阻
- 高速开关
- 快速反向恢复
- 易于并联
- 易于驱动
- 无铅引脚镀层；符合RoHS指令
